机译:辉光放电技术中的高激发频率(70 MHz)对工艺等离子体和氢化非晶硅性能的影响
机译:金属/绝缘体/辉光放电沉积的氢化非晶硅二极管的平带电容的频率依赖性
机译:辉光放电等离子体沉积的氢化非晶碳膜的光学性质
机译:高频辉光放电制备结晶氢化硅膜的微观结构和光学性质
机译:使用超高频辉光放电分析非晶硅合金太阳能电池的等离子体特性和沉积
机译:研究辉光放电等离子体作为分析原子光谱法的雾化和激发源。
机译:通过辉光放电光谱研究掺杂元素来表征非晶硅薄膜。电导率和带隙能量测量的相关性
机译:通过极高频率(70 MHz)辉光放电制备的非晶硅中的大气污染源
机译:添加到阅览室阅读软件下载与<<辉光放电分解制备离子镀和氢化非晶硼薄膜制备氢化非晶硅薄膜及其表征>>相似的文献。最终报告,1980年4月1日至1981年5月31日